Гиротропия CdGeP$_{2}$

С. Марцинкявичюс, Г. А. Бабонас

Институт физики полупроводников АН ЛитССР

Аннотация: Исследована дисперсия ненулевой компоненты тензора гирации $g_{11}$ и циркулярного дихроизма CdGeP$_{2}$ (класс $\bar{4}2m$) при 300 K. Установлено, что значительная дисперсия $g_{11}$ (от ${2.3\cdot10^{-3}}$ при 1.1 мкм до $9.0\cdot10^{-3}$ при 0.83) в основном определена краевыми оптическими переходами ${\Gamma_{7v}\to\Gamma_{6c}}$. Гиротропия в CdGeP$_{2}$ связывается с искажением структурных тетраэдров CdP$_{4}$. На основе полученных данных рассматривается гиротропия других соединений со структурой халькопирита, оценивается проявление гиротропии в кристаллах CdB$^{4}$P$_{2}$ (B = Si, Sn).

УДК: 535.562

Поступила в редакцию: 21.05.1984

Реферативные базы данных:

•