Об энергетической релаксации горячих дырок в спин-отщепленной подзоне в кристалле GaAs

В. Д. Дымников

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Изучена релаксация горячих фотовозбужденных носителей тока в спин-отщепленной подзоне в арсениде галлия при спонтанном испускании продольных оптических фононов. Показано, что при достаточно больших квантах возбуждения дырки в отщепленной подзоне достигают своей вершины, уходя в другие подзоны валентной зоны и затем возвращаясь обратно. Роль межзонных переходов становится существенной, когда кинетическая энергия носителей, генерируемых в спин-отщепленной подзоне, больше энергии четырех оптических фононов.

УДК: 539.512

Поступила в редакцию: 30.08.1985

Реферативные базы данных:

•