Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs

С. Г. Конников, Б. А. Матвеев, Т. Б. Попова, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, В. Е. Уманский

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Приведены данные о распределении плотности наклонных дислокаций по глубине и на поверхности «градиентных» гетероструктур InAsSbP/InAs, полученных при температурах пластичности арсенида индия ($680{-}720^{\circ}$С) на подложках переменной толщины при различных рассогласованиях решеток па гетерогранице.
Показано, что такие структуры находятся в состоянии упруго-пластической деформации и имеют «инверсное» распределение дислокаций: плотность дислокаций в подложке значительно выше, чем в упруго-деформированном слое InAsSbP, имеющем рекордно низкую для данного материала плотность дислокаций (${5\cdot10^{-3}\,\text{см}^{-2}}$).

УДК: 620.187

Поступила в редакцию: 02.08.1985

Реферативные базы данных:

•