Магнетизм. Сегнетоэлектричество

Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах танталата лития при дискретном облучении электронами

Л. С. Коханчик, Д. В. Иржак

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия

Аннотация: Сообщается об исследовании процессов формирования доменных структур в кристаллах танталата лития толщиной $\sim$300 $\mu$m при их облучении электронами в растровом электронном микрокопе. Были использованы последовательные дискретные квазиточечные облучения электронным лучом по поверхности -Z-срезов. Такой способ рисования электронным лучом позволил управлять величиной внедряемого заряда и исследовать влияние расстояний между условно точечными зарядами на формирумые при переключении доменные структуры. Исследовано влияние направления перемещения луча при внесении облучений на ширину доменных линий. Сформирована доменная решетка периодом в 12 $\mu$m на -$z$-грани кристалла с переходом в глубине кристалла к структуре 2D-типа.

Поступила в редакцию: 05.05.2009

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:2, 306–310

Реферативные базы данных:

•