RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2010, том 52, выпуск 2, страницы 209–214 (Mi ftt13604)

Полупроводники. Диэлектрики

Перетекание электронов между эллипсоидами в магнитном поле в области квантового предела в сплавах $n$-Bi–Sb

Н. А. Редькоab, В. Д. Каганa, М. П. Волковab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland

Аннотация: Проведены измерения магнетосопротивлений $\rho_{22}(H)$, $\rho_{32}(H)$ и коэффициента Холла $R_{32.1}$ на монокристаллических образцах полупроводникового сплава Bi$_{0.93}$Sb$_{0.07}$ при низких температурах в магнитном поле до $H$ = 14 T при $H\parallel C_2$. Исследованы образцы с тремя концентрациями электронов $n_1$ = 1.25 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-3}$, $n_2$ = 3.5 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-3}$, $n_3$ = 1.6 $\cdot$ 10$^{17}$ cm$^{-3}$. Сильная анизотропия электронного спектра сплавов позволила наблюдать квантовые осцилляции магнетосопротивления $\rho_{22}(H)$ при $H\parallel C_2$ для электронов побочных эллипсоидов с переходом в квантовый предел в больших магнитных полях. В то же время в этих магнитных полях условие квантования для электронов главного эллипсоида не выполнялось. Рост энергии электронов побочных эллипсоидов в магнитных полях квантового предела приводил к перетеканию их в главный эллипсоид. После полного перетекания в образцах сплава с концентрациями $n_1$, $n_2$ и $n_3$ энергия Ферми увеличилась с 7 до 11.3, с 11 до 17.1, с 20.2 до 30.6 meV соответственно. После перетекания для электронов главного эллипсоида магнетосопротивление увеличивается с ростом магнитного поля и вблизи $H$ = 10 T наблюдаются особенности в поведении кинетических коэффициентов. Таким образом, при $H\parallel C_2$ в монокристаллах Bi$_{0.93}$Sb$_{0.07}$ при низких температурах в области магнитных полей квантового предела наблюдается электронный топологический переход от трехдолинного электронного спектра к однодолинному.

Поступила в редакцию: 06.05.2009


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:2, 223–229

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026