Низкоразмерные системы. Физика поверхности

Эффекты уширения уровней и перегрева электронов в туннельных структурах на металлических кластерах

А. В. Бабич, В. В. Погосов

Запорожский национальный технический университет

Аннотация: Исследовано влияние уширения уровней и перегрева электронной подсистемы золотых кластеров-островков дискообразной и сферической формы на характер вольт-амперной характеристики трехэлектродной структуры. Предложена схема расчета уширения электронных уровней в одномерном случае прямоугольных барьеров. В двухтемпературной электрон-ионной модели металлического кластера с учетом размерной зависимости дебаевской частоты оценена кинетическая температура электронов в зависимости от напряжения смещения. При низких температурах ионов эффекты уширения и перегрева электронов приводят к исчезновению ступеней квантовой и кулоновской лестниц, т. е. к сильной сглаженности вольт-амперной характеристики даже в структурах на кластерах, состоящих из счетного числа атомов, что и наблюдается в экспериментах.

Поступила в редакцию: 04.05.2009

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:1, 176–183

Реферативные базы данных:

•