Аннотация:
Исследовано влияние малых доз радиации на пороговый характер поведения эффективной диэлектрической проницаемости кристаллов группы триглицинсульфата в переменном электрическом поле. Показано, что характер воздействия возникающих в результате облучения радикалов на доменную структуру исследованных кристаллов не является идентичным и определяется природой введенных ранее дефектов. Рассчитаны значения энергии взаимодействия доменных стенок с дефектами.
Поступила в редакцию: 08.04.2009 Принята в печать: 02.06.2009