Магнетизм. Сегнетоэлектричество

Особенности кристаллизации поликристаллических тонких пленок PZT, сформированных на подложке Si/SiO$_2$/Pt

И. П. Пронин^a, Е. Ю. Каптелов^a, С. В. Сенкевич^a, В. А. Климов^a, Н. В. Зайцева^a, Т. А. Шаплыгина^a, В. П. Пронин^b, С. А. Кукушкин<sup>c

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
^c Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изучены особенности кристаллизации тонких пленок цирконата-титаната свинца, осажденных на подложку Si/SiO$_2$/Pt методом ВЧ-магнетронного распыления при низкой температуре и отожженных при температуре 540–580$^\circ$C. В этом интервале температур последовательно наблюдаются два фазовых перехода первого рода: низкотемпературная фаза пирохлора-фаза перовскита I и фаза перовскита I-фаза перовскита II, сопровождающихся усадкой (уменьшением объема пленки). Фазовые превращения были исследованы при помощи атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии, рентгенодифракционного анализа и метода визуального (оптического) наблюдения роста островков новой фазы. Обнаружено, что диэлектрические параметры при переходе от фазы I к фазе II претерпевают существенные изменения. Обсуждаются причины наблюдаемых эффектов.

Поступила в редакцию: 01.06.2009

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:1, 132–136

Реферативные базы данных:

•