Магнетизм. Сегнетоэлектричество

Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al/SiO$_2$ и $\alpha$-Al$_2$O$_3$

Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Пленки триглицинсульфата (TGS) получены методом испарения из водного раствора на подложках из плавленого кварца, покрытых слоем термически напыленного алюминия (Al/SiO$_2$), и подложках лейкосапфира ($\alpha$-Al$_2$O$_3$), на поверхность которых методом фотолитографии были нанесены электроды в виде встречно-штыревой структуры. Пленки TGS имеют поликристаллическую структуру, состоящую из блоков с размерами 0.1–0.3 mm (Al/SiO$_2$) и 0.1 $\times$ 1 mm ($\alpha$-Al$_2$O$_3$). Полярная ось в блоках ориентирована в основном в плоскости подложки. Температурные зависимости емкости и диэлектрических потерь в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, и в плоскости пленки имеют максимумы при температуре, совпадающей с температурой $T_c$ сегнетоэлектрического фазового перехода в объемном кристалле. Низкочастотная проводимость $G$ в структурах TGS/Al/SiO$_2$ обладает частотной дисперсией, которая описывается зависимостью $G\sim\omega^s$ ($s\approx$ 0.82). Возможным механизмом проводимости является прыжковая проводимость, обусловленная локализованными носителями с энергией основного состояния 0.8–0.9 eV. В пленках TGS/$\alpha$-Al$_2$O$_3$ при температурах выше и ниже $T_c$ низкочастотная проводимость обусловлена термоактивационным механизмом с энергией активации 0.9–1 eV. В области фазового перехода в структурах TGS/$\alpha$-Al$_2$O$_3$ появляется дополнительный вклад в проводимость, характеризующийся частотной дисперсией $G\sim\omega^{0.5}$, который можно связать с релаксацией доменных стенок.

Поступила в редакцию: 01.06.2009

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:1, 126–131

Реферативные базы данных:

•