RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2010, том 52, выпуск 1, страницы 106–109 (Mi ftt13585)

Магнетизм. Сегнетоэлектричество

Температурная зависимость одноосной магнитной анизотропии ромбоэдрических антиферромагнитных кристаллов с ионами в $S$-состоянии

С. Г. Овчинников, В. В. Руденко, В. И. Тугаринов

Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск

Аннотация: Проведен расчет вкладов анизотропного обмена в первую и вторую константы одноосной анизотропии гематита для $T$ = 0 K и произвольных температур. Результаты расчета, а также наиболее существенные механизмы учтены при интерпретации температурной зависимости анизотропии в ромбоэдрических антиферромагнитных кристаллах. Первая константа анизотропии гематита описывается дипольным взаимодействием, вкладами “одноионной” природы и относительно небольшими вкладами анизотропного обмена. Вторая константа гематита включает “одноионный” вклад и вклад анизотропного обмена. Основные вклады в первую константу анизотропии кристаллов FeBO$_3$ и MnCO$_3$ вносят дипольный и “одноионный” механизмы.

Поступила в редакцию: 18.02.2009
Принята в печать: 12.05.2009


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:1, 112–116

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026