Полупроводники. Диэлектрики

Оптические и электрофизические свойства дефектов в высокочистом CdTe

В. С. Багаев, Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, В. С. Кривобок, А. А. Шепель

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: С помощью фотолюминесценции, фотопроводимости, а также анализа температурной зависимости проводимости исследован электронный спектр дефектов, образующихся при низкотемпературном синтезе и росте высокочистого [111] CdTe из паровой фазы исходных компонентов. Помимо сравнительно мелких центров, включающих в основном доноры и акцепторы из состава остаточных примесей замещения, в кристаллах обнаружены глубокие акцепторные состояния с энергиями активации 0.25, 0.6 и 0.86 eV, различающиеся характером и величиной локализующего потенциала. В то время как глубокие центры 0.6 и 0.86 eV характеризуются сильной локализацией электронных состояний, центр с энергией активации 0.25 eV связан с дефектами, для которых основная часть локализующего потенциала равномерно распределена в пространстве на несколько элементарных ячеек. Предполагаемым источником таких центров являются протяженные дефекты, вызванные двойникованием.

Поступила в редакцию: 02.04.2009

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:1, 37–42

Реферативные базы данных:

•