Полупроводники. Диэлектрики

Гетероэпитаксия пленок Ge$_x$Si$_{1-x}$ ($x\sim$ 0.4–0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения

Ю. Б. Болховитянов, А. С. Дерябин, А. К. Гутаковский, Л. В. Соколов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследовалась релаксация механических напряжений несоответствия в эпитаксиальных пленках Ge$_x$Si$_{1-x}$ ($x\sim$ 0.4–0.5), выращиваемых методом молекулярной эпитаксии на подложках Si, отклоненных от точной ориентации (001) на угол 6$^\circ$. Рассмотрены возможные варианты наведенного зарождения и взаимодействия 60$^\circ$ дислокаций несоответствия (ДН), распространяющихся в направлении отклонения с образованием отрезков коротких краевых ДН, проведена их классификация и приведены экспериментально обнаруженные с помощью ПЭМ различные формы таких конфигураций. Показано, что образование коротких краевых ДН происходит по двум различным механизмам: A – коррелированное или наведенное зарождение комплементарной 60$^\circ$ дислокационной полупетли и затем образование отрезка краевой дислокации; B – образование 90$^\circ$ сегмента ДН при пересечении уже существующих комплементарных 60$^\circ$ ДН, скользящих в противоположно наклонных плоскостях $\{111\}$. Показана неэквивалентность взаимодействия 60$^\circ$ ДН, распространяющихся в противоположных направлениях вдоль направления отклонения подложки.

Поступила в редакцию: 27.04.2009
Принята в печать: 27.05.2009

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:1, 32–36

Реферативные базы данных:

•