В. Ф. Агекян, P. O. Holtz, G. Karczewski, Е. С. Москаленко, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Действие магнитного поля на перенос энергии зонных состояний в 3$d$-оболочку Mn$^{2+}$ в матрице CdMgTe с ультратонкими слоями CdMnTe”, Физика твердого тела, 2010, том 52, выпуск 1,страницы 28

Полупроводники. Диэлектрики

Действие магнитного поля на перенос энергии зонных состояний в 3$d$-оболочку Mn$^{2+}$ в матрице CdMgTe с ультратонкими слоями CdMnTe

В. Ф. Агекян^a, P. O. Holtz^b, G. Karczewski^c, Е. С. Москаленко^d, А. Ю. Серов^a, Н. Г. Философов^a

^a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
^b IFM Material Physics, Linköping University, Linköping, Sweden
^c Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Рассмотрено влияние внешних полей на два канала излучательной рекомбинации – межзонный и внутрицентровый – в разбавленных магнитных полупроводниках группы II–VI и наноструктурах на их основе. В магнитном поле до 6 T исследована внутрицентровая 3$d$-люминесценция ионов марганца в матрицах CdMgTe, содержащих периодические включения узкозонных слоев CdMnTe с толщинами 0.5, 1.5 и 3.0 монослоя. Показано, что в магнитном поле люминесценция ионов марганца ослабляется вследствие уменьшения скорости спин-зависимого переноса возбуждения от зонных состояний в 3$d$-оболочку марганца. Наиболее сильное подавление 3$d$-люминесценции наблюдается в матрице с толщиной CdMnTe 3.0 монослоя. Это свидетельствует о том, что основным фактором является величина внутренного поля около слоев CdMnTe определяющая магнитное расщепление и поляризацию спинов зонных состояний.

Поступила в редакцию: 28.04.2009