Аннотация:
В рамках предложенной ранее M-модели вычислено изменение локальной плотности состояний $\delta\rho_g$ однолистного графена, вызванное адсорбцией одиночного атома. Проанализирована зависимость $\delta\rho_g$ от положения уровня адатома $\varepsilon_a$ относительно точки Дирака и других параметров задачи. Показано, что наибольшие изменения $\delta\rho_g$ вызывают адатомы с уровнями $\varepsilon_a$, лежащими вблизи точки Дирака, при этом минимальная плотность состояний графена остается равной нулю. Получено аналитическое выражение для энергии связи $W_{\mathrm{ads}}$ адатома с графеном. Приведены оценки $W_{\mathrm{ads}}$ в режимах слабой и сильной связи адатом-подложка. В качестве конкретных адсорбатов рассмотрены атомы щелочных металлов и галогенов.
Полный текст:
PDF файл (297 kB)
