Системы низкой размерности

Фазовый переход сегнетоэлектрического типа в графене с хаббардовским взаимодействием

М. Б. Белоненко^ab, Н. Г. Лебедев^ab, Н. Н. Янюшкина<sup>ab

a</sup> Волгоградский государственный университет
^b Entropique Inc., London, N6J 3S2, ON, Canada

Аннотация: Выявлено, что в графене с хаббардовским взаимодействием между электронами при приложении внешнего постоянного электрического поля возможно спонтанное появление электрического поля, перпендикулярного приложенному полю. Данный эффект можно связать с неравновесностью электронной подсистемы графена. Выявлены характеристики спонтанного поля в зависимости от параметров задачи.

Поступила в редакцию: 25.05.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:12, 2520–2524

Реферативные базы данных:

•