Системы низкой размерности

Вклад фононов в ширину линии поверхностных состояний на Pd(111)

И. Ю. Скляднева^abc, С. С. Циркин^d, С. В. Еремеев^bd, R. Heid^c, K.-P. Bohnen^c, Е. В. Чулков<sup>ae

a</sup> Donostia International Physics Center (DIPC), San Sebastián/Donostia, Basque Country, Spain
^b Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, г. Томск
^c Karlsruher Institut für Technologie, Institut für Festkörperphysik, Karlsruhe, Germany
^d Томский государственный университет, Томск, Россия
^e Departamento de Física de Materiales and Centro Mixto CSIC–UPV/EHU, Facultad de Ciencias Químicas, UPV/EHU, San Sebastián/Donostia, Basque Country, Spain

Аннотация: Приведены результаты расчетов вклада электрон-фононного взаимодействия в ширину линии поверхностных электронных состояний на Pd(111). Вычисления проведены как ab initio методом, основанным на теории функционала электронной плотности и методе линейного отклика в псевдопотенциальном представлении со смешанным базисом, так и с помощью модели, которая включает описание электронной структуры поверхности одномерным модельным потенциалом. Фононный вклад в ширину линий проанализирован для всех поверхностных состояний. Показано, что обусловленная электрон-фононным взаимодействием ширина линии имеет слабую анизотропию, а характер ее изменений с энергией и волновым вектором электрона зависит в первую очередь от конкретной поверхностной зоны.

Поступила в редакцию: 16.05.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:12, 2508–2514

Реферативные базы данных:

•