Полимеры

Эффекты памяти в полевых транзисторных структурах на основе композитных пленок полиэпоксипропилкарбазола с наночастицами золота

А. Н. Алешин, Ф. С. Федичкин, П. Е. Гусаков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы эффекты памяти в полевых транзисторных структурах с активным слоем на основе композитных пленок полупроводникового полимера – производного карбазола и наночастиц золота, проявляющиеся в гистерезисе переходных характеристик транзистора. Показано, что наблюдаемые эффекты связаны с особенностями транспорта в структуре полимер-наночастицы золота, где последние выполняют функцию среды накопления (аккумулирования) носителей заряда. Обсуждается механизм записи–стирания информации, основанный на модуляции проводимости рабочего канала полевого транзистора напряжением на затворе.

Поступила в редакцию: 25.04.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:11, 2370–2374

Реферативные базы данных:

•