Аннотация:
Из эпитаксиальных пленок Co, осажденных на атомарно-гладкие и вицинальные монокристаллы Si(111), с помощью сфокусированного пучка ионов Ga$^+$ формировались массивы круглых нанодисков. Методом сканирующей туннельной микроскопии определялась шероховатость поверхности. Исследованы коэрцитивная сила и процессы перемагничивания пленок и массивов эпитаксиальных нанодисков Co. Показано, что коэрцитивная сила массивов нанодисков Co на атомарно-гладком Si(111) больше, а на вицинальном Si(111) меньше, чем в эпитаксиальных пленках. Исследования магнитной структуры нанодисков методом магнитной силовой микроскопии совместно с микромагнитным моделированием показали, что в нанодисках на атомарно-гладких подложках процессы перемагничивания протекают через вихреподобные состояния, а на вицинальных – через состояние “C”-типа.