Полупроводники

Температурные особенности электросопротивления 2D-электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов в тонких легированных слоях

В. М. Михеев

Институт физики металлов УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: В модели жестких сфер на плоскости рассмотрены пространственные корреляции примесных ионов в тонких легированных слоях при конечных температурах. Показано, что в системах с раздельным легированием корреляции в расположении примесных ионов ослаблены тепловым движением электронов при достаточно низких температурах (ниже гелиевых). Изучены температурные зависимости электрического сопротивления вырожденных 2D-электронов в гетероструктурах с раздельным легированием на примере Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs.

Поступила в редакцию: 12.04.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:11, 2210–2219

Реферативные базы данных:

•