Полупроводники

Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe$_2$

Р. С. Мадатов, А. И. Наджафов, Т. Б. Тагиев, М. Р. Газанфаров, М. А. Мехрабова

Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованы температурная зависимость электропроводности и вольт-амперные характеристики монокристаллов TlInSe$_2$ с удельным сопротивлением $\sim$10$^8$ $\Omega$ cm, облученных $\gamma$-квантами. Установлено, что наблюдаемые аномалии электропроводности при слабых полях и малых дозах облучения связаны с распадом нейтральных комплексов, в состав которых входит междоузельный атом катиона. В сильных электрических полях происходит термополевая ионизация ловушек. Основным механизмом радиационного дефектообразования является образование комплексов [$V^-_{\mathrm{In}}$In$^+_i$], [$V^-_{\mathrm{Se}}$Se$^-_i$] и других со структурными дефектами, характерными для необлученных кристаллов. Определены энергии активации и концентрации ловушек, а также форма потенциальной ямы в области ловушек.

Поступила в редакцию: 05.04.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:11, 2205–2209

Реферативные базы данных:

•