Аннотация:
Подпороговая фотоэлектронная эмиссия из нанокластеров меди, сформированных на поверхности SiO$_2$, наблюдалась при облучении поверхности фотонами в диапазоне энергий 3.1–6.5 eV. Средние размеры нанокластеров меди на поверхности окиси кремния составляли 250–500 nm. Помимо обычной фотоэмиссии из заполненного поверхностного состояния Шокли (SS) сильная фотоэлектронная эмиссия наблюдалась при энергиях облучающих поверхность фотонов на 0.5 eV ниже работы выхода поверхности меди. Предполагается, что эта эмиссия обусловлена прямыми переходами электронов из состояния SS в незаполненные электронные поверхностные состояния, образованные в кулоновском потенциале сил изображения, и далее из этих состояний в вакуум.