Системы низкой размерности

Морфология наноструктур, сформированных на ван-дер-ваальсовой поверхности слоистых кристаллов GaSe, отожженных в парах серы

А. П. Бахтинов^a, З. Р. Кудринский^a, О. С. Литвин<sup>b

a</sup> Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины (Черновицкое отделение), Черновцы, Украина
^b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Методом атомной силовой микроскопии исследована морфология наноструктур, которые были выращены на ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) слоистых кристаллов GaSe после отжига в термодинамически равновесных условиях при высоких давлениях паров серы. Морфология и фазовый состав наноструктур определяются деформационным и химическим взаимодействием между паровой фазой и поверхностью кристалла и термодинамическими условиями отжига. Формирование элементов наноструктур в виде мелких нанокристаллитов Ga$_2$S$_3$, пирамидальных квантовых точек и квантовых колец происходит на дефектной ван-дер-ваальсовой поверхности (0001), которая содержит наноразмерные углубления (нанополости) и жидкий галлий.

Поступила в редакцию: 21.02.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:10, 2154–2159

Реферативные базы данных:

•