Механические свойства, физика прочности и пластичность

Образование переходов междоузельные атомы–вакансии при имплантации ионов в кристалл

В. И. Сугаков

Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина

Аннотация: Проведено моделирование диффузионного движения внедренных в кристалл атомов и точечных дефектов, созданных облучением, в пространстве за областью проективного пробега. Показано, что за областью пробега ионов возникает сильно обедненная вакансиями область, в конце которой появляется пик вероятности процессов рекомбинации междоузельных атомов с вакансиями, а также пик концентрации комплексов вакансий с внедренными атомами. Определяющую роль играют следующие факторы: 1) созданное облучением общее число атомов в междоузельном положении, включая имплантированные атомы и собственные атомы кристалла, превышает число вакансий, созданных облучением; 2) имеются термодинамически равновесные вакансии; 3) образуются неподвижные комплексы имплантированных атомов с вакансиями. Размеры области с чрезвычайно малой концентрацией вакансий могут намного превышать длину пробега ионов и достигать несколько десятков микрометров. Анализируются возможные проявления эффекта.

Поступила в редакцию: 29.11.2010
Принята в печать: 05.04.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:10, 2131–2140

Реферативные базы данных:

•