Сегнетоэлектричество

Проводимость и вольт-амперные характеристики тонкопленочных гетероструктур на основе ЦТС

М. В. Каменщиков^a, А. В. Солнышкин^a, А. А. Богомолов^a, И. П. Пронин<sup>b

a</sup> Тверской государственный университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Проведено исследование электропроводности методом вольт-амперных характеристик (ВАХ) тонкопленочных структур Pt/ЦТС/Pt. Обнаружена асимметрия ВАХ, свидетельствующая о различии в величинах потенциальных барьеров на интерфейсах исследуемых структур, которая меняется в зависимости от условий синтеза. Установлено, что ВАХ, представленная в полулогарифмическом масштабе, имеет несколько линейных участков, что свидетельствует о наличии нескольких механизмов проводимости в данной структуре. Выделено два основных механизма проводимости: омический и эмиссия Пула–Френкеля. С ростом температуры проводимость данных структур увеличивается не меняя вид ВАХ.

Поступила в редакцию: 22.03.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:10, 2080–2084

Реферативные базы данных:

•