Магнетизм

Электро- и магнетотранспорт в наноразмерных пленках La$_{0.67}$Ba$_{0.33}$MnO$_3$, когерентно выращенных на вицинально полированной подложке (LaAlO$_3$)$_{0.29}$ + (SrAl$_{0.5}$Ta$_{0.5}$O$_3$)$_{0.71}$

Ю. А. Бойков, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, В. А. Данилов, В. В. Афросимов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы структура, ориентация и отклик электросопротивления пленок (30 nm) La$_{0.67}$Ba$_{0.33}$MnO$_3$ (LBMO) на магнитное поле $H$ и изменение температуры $T$. Отклонение направления [001] в манганитных слоях от нормали к плоскости подложки (LaAlO$_3$)$_{0.29}$ + (SrAl$_{0.5}$Ta$_{0.5}$O$_3$)$_{0.71}$ четко соответствует вицинальному углу последней. Минимальный выход, определенный из полученых спектров рассеяния протонов с энергией 227 keV, составляет 0.025, что свидетельствует о высокой упорядоченности катионной подрешетки сформированных пленок. Двухосное сжатие стабильных зародышей манганитной фазы сказывается на их стехиометрии, что способствует обеднению пленок LBMO щелочно-земельным элементом. Максимальные значения электросопротивления выращенных пленок наблюдаются при температуре $T_{\mathrm{max}}\approx$ 320 K, которая примерно на 20 K ниже температуры Кюри для соответствующих объемных монокристаллов, а пик отрицательного магнетосопротивления (MR $\approx$ -0.42, $\mu_0H$ = 2 T) находится при $T\approx$ 300 K. При низких ($T<T_{\mathrm{max}}$/3) температурах и $\mu_0H<$ 0.45 T отклик электросопротивления пленок LBMO на магнитное поле существенно зависит от анизотропного магнетосопротивления и интенсивности рассеяния дырок на доменных стенках, а при $\mu_0H>$ 0.5 T основным механизмом релаксации носителей заряда является взаимодействие с магнонами.

Поступила в редакцию: 22.03.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:10, 2049–2053

Реферативные базы данных:

•