Полупроводники

Исследование электрических свойств тонких пленок SmS при высоких давлениях

В. В. Каминский, Н. Н. Степанов, А. А. Молодых, С. М. Соловьев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На основании измерений температурных зависимостей электросопротивления тонких поликристаллических пленок SmS на стеклянных подложках при различных давлениях получена величина барического сдвига примесных уровней при гидростатическом сжатии (-1.9 $\cdot$ 10$^{-2}$ meV/MPa) при $T$ = 300 K. Различие в величинах барических сдвигов примесных уровней в тонких пленках и монокристаллах объяснено влиянием упругих свойств материала подложки. Показано, что фазовый переход полупроводник–металл в пленках SmS не происходит до давлений 1000 MPa, поскольку примесные уровни, запускающие механизм фазового перехода при таких давлениях, не входят в зону проводимости.

Поступила в редакцию: 30.03.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:10, 1022–1024

Реферативные базы данных:

•