Аннотация:
Выращены монокристаллические пленки твердого раствора замещения (GaAs)$_{1-x}$(ZnSe)$_x$ (0 $\le x\le$ 0.80) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Исследованы рентгенограммы, фотолюминесценции и вольт-амперные характеристики полученных структур $n$-GaAs–$p$-(GaAs)$_{1-x}$(ZnSe)$_x$ (0 $\le x\le$ 0.80). Получены значения параметров решетки пленки $a_f$ = 5.6544 $\mathring{\mathrm{A}}$ и подложки $a_s$ = 5.6465 $\mathring{\mathrm{A}}$, а также профиль распределения молекул компонентов твердого раствора. В спектре фотолюминесценции пленок (GaAs)$_{1-x}$(ZnSe)$_x$ (0 $\le x\le$ 0.80) на фоне широкого спектра излучения обнаружен узкий пик с максимумом интенсивности излучения при энергиях фотонов, равных 2.67 eV, обусловленный связями Zn–Se (ZnSe находится в ковалентной связи с тетраэдрической решеткой матрицы GaAs). Показано, что прямая ветвь вольт-амперных характеристик исследованных структур при малых напряжениях (до 0.3 V) описывается экспоненциальной зависимостью $I=I_0\exp(qV/ckT)$, а при больших ($V>$ 0.3 V) – степенной зависимостью $I\sim V^\alpha$ со значениями $\alpha$ = 4 при $V$ = 0.4–0.8 V, $\alpha$ = 2 при $V$ = 0.8–1.4 V и $\alpha$ = 1.5 при $V>$ 2 V. Экспериментальные результаты объясняются на основе модели двойной инжекции для $n$–$p$–$p^+$-структуры при условии существования минимума в распределении концентрации неравновесных носителей.
Полный текст:
PDF файл (688 kB)
