Эта публикация цитируется в 1 статье

Системы низкой размерности

Давление силы Казимира на слой диэлектрика в структурах металл–диэлектрик–полупроводник

Г. Л. Климчицкая, А. Б. Федорцов, Ю. В. Чуркин, В. А. Юрова

Северо-Западный государственный заочный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены расчеты величины давления, создаваемого силой Казимира, на слой диэлектрика в структурах металл–диэлектрик–полупроводник, близких по параметрам к используемым в производстве полупроводниковых приборов. Установлено, что с уменьшением толщины диэлектрика в диапазоне от 80 до 40 nm давление силы Казимира возрастает на порядок и достигает десятков паскалей. Толщина слоя металла и наличие поверхностного слоя с высокой концентрацией носителей заряда в полупроводнике слабо влияют на расчетные значения казимировского давления.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:9, 1921–1926

Реферативные базы данных:

•