Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Электронная структура аморфных пленок Si–C–N

Д. А. Зацепин^ab, Э. З. Курмаев^a, A. Moewes^c, С. О. Чолах<sup>b

a</sup> Институт физики металлов УрО РАН, г. Екатеринбург
^b Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург
^c Department of Physics and Engineering Physics, University of Saskatchewan, Saskatoon, Saskatchewan, Canada

Аннотация: Представлены результаты исследования аморфных пленок $a$-SiC$_x$N$_y$ различного состава методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Измерены и проанализированы эмиссионные Si $L_{2,3}$, C $K_\alpha$ и N $K_\alpha$ спектры, которые соответственно отображают парциональные плотности состояний Si 3$s$3$d$, C 2$p$ и N 2$p$. Установлено, что химическая связь Si–N весьма схожа по типу с химической связью Si–C и полностью замещает связи Si–C в тонких пленках $a$-SiC$_x$N$_y$ при увеличении концентрации кислорода. Подобный эффект связывается с локальной агломерацией и последующей кластеризацией атомов углерода в SiN-обогащенных областях внутреннего объема пленки. Обнаружена высокая способность пленок $a$-SiC$_x$N$_y$ к окислению на воздухе, что подтверждается удовлетворительной аппроксимацией рентгеновских Si $L_{2,3}$ эмиссионных спектров $a$-SiCN с помощью суперпозиции спектров $\gamma$-Si$_3$N$_4$ и Si$_2$N$_2$O. При этом относительные весовые коэффициенты спектров $\gamma$-Si$_3$N$_4$, использованные для аппроксимации спектров тонких пленок $a$-SiC$_x$N$_y$, оказываются пропорциональными значениями модуля Юнга для различного состава (различных $x$ и $y$).

Поступила в редакцию: 01.02.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:9, 1806–1810

Реферативные базы данных:

•