Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводники

Особенности и механизмы фотолюминесценции наноструктурированных пленок карбида кремния, выращиваемых на кремнии в вакууме

Л. К. Орлов^a, Э. А. Штейнман^b, Н. Л. Ивина^c, В. И. Вдовин<sup>d

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Институт физики твердого тела РАН, г. Черноголовка, Моск. обл.
^c Волго-Вятская государственная академия госслужбы, Нижний Новгород, Россия
^d Междисциплинарный ресурсный центр по направлению ``Нанотехнологии'', С.-Петербургский государственный университет

Аннотация: Обсуждаются светоизлучающие свойства пленок кубического карбида кремния, полученных методом вакуумной газофазной эпитаксии на подложках кремния (100) и (111) в условиях пониженных ростовых температур ($T_{\mathrm{gr}}\sim$ 900–700$^\circ$C). Структурные исследования показывают нанокристаллическую структуру и одновременно однородность фазового состава выращенных пленок 3C-SiC. Спектры фотолюминесценции данных структур при возбуждении электронной подсистемы гелий-кадмиевым лазером ($\lambda_{\mathrm{exit}}$ = 325 nm) характеризовались достаточно интенсивной полосой излучения с максимумом, сдвинутым в ультрафиолетовую ($\sim$3 eV) область спектрального диапазона. Обнаружено, что интегральная кривая фотолюминесценции при низких температурах измерения расщепляется на совокупность лоренцевых компонент. Обсуждается их взаимосвязь с особенностями кристаллической структуры выращиваемых слоев карбида кремния.

Поступила в редакцию: 19.01.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:9, 1798–1805

Реферативные базы данных:

•