Аннотация:
Измерены спектры резонансного рассеяния света квантовыми проволоками ZnTe при энергиях возбуждения 2.18–2.72 eV. Квантовые проволоки выращены на подложках (100) Si и (100) GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовано влияние резонанса по рассеянному свету с энергией электронных переходов $E_0$ на интенсивность линий фононных повторений стоксового спектра, а также на отношение интенсивностей линий антистоксового и стоксовского спектров. Из спектров краевой люминесценции определена энергия $E_0$ в квантовых проволоках ZnTe и ZnMgTe.