Эта публикация цитируется в 3 статьях

Системы низкой размерности

Влияние магнитного поля и температуры измерения на вид спектров микрофотолюминесценции в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Eu

М. М. Мездрогина^a, Е. С. Москаленко^a, Ю. В. Кожанова<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На основании комплексных исследований влияния напряженности магнитного поля, температуры измерения на вид спектров микрофотолюминесценции (микро-ФЛ) структур с квантовыми ямами InGaN/GaN, легированных Eu, определения зарядового состояния примесного иона Eu, изменения концентрации легирующего иона показано, что при увеличении напряженности магнитного поля (0–5 T) в отличие от нелегированных структур наблюдается более существенное уменьшение интенсивности излучения. Увеличение температуры измерения от 4.2 до 78 K приводит к усилению эффекта влияния магнитного поля на вид спектров микро-ФЛ легированных Eu структур InGaN/GaN. Показано, что легирование Eu структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN при большом уровне возбуждения приводит к сдвигу максимума излучения в длинноволновую область спектра.

Поступила в редакцию: 15.12.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:8, 1680–1688

Реферативные базы данных:

•