Эта публикация цитируется в
12 статьях
Примесные центры
Люминесценция и сцинтилляционные свойства монокристаллов и монокристаллических пленок Y$_3$Al$_5$O$_{12}$ : Ce
Ю. В. Зоренкоab,
В. П. Савчинa,
В. И. Горбенкоa,
Т. И. Вознякa,
Т. Е. Зоренкоa,
В. М. Пузиковc,
А. Я. Данькоc,
C. B. Нижанковскийc a Львовский национальный университет им. И. Франко
b Institute of Physics, Kazimierz Wielki University in Bydgoszcz,
Bydgoszcz, Poland
c Институт монокристаллов НАН Украины, г. Харьков
Аннотация:
Проведен сравнительный анализ люминесцентных и сцинтилляционных свойств монокристаллов Y
$_3$Al
$_5$O
$_{12}$ : Ce, выращенных из расплава методами Чохральского и горизонтальной направленной кристаллизации в различных газовых средах, а также монокристаллических пленок Y
$_3$Al
$_5$O
$_{12}$ : Ce, полученных методом жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава на основе флюса PbO–B
$_2$O
$_3$. Установлена существенная зависимость сцинтилляционных свойств монокристаллов Y
$_3$Al
$_5$O
$_{12}$ : Ce от условий их вращения и концентраций антиузельных дефектов YAl и вакансионных дефектов, которые в этих кристаллах участвуют в процессах возбуждения излучения ионов Ce
$^{3+}$ как центры собственной УФ-люминесценции и центры захвата. Показано, что монокристаллические пленки Y
$_3$Al
$_5$O
$_{12}$ : Ce обладают более быстрой, чем монокристаллы, кинетикой затухания сцинтилляций и меньшим содержанием медленных компонентов в затухании люминесценции ионов Ce
$^{3+}$ при высокоэнергетическом возбуждении вследствие отсутствия в них антиузельных дефектов YAl и низкой концентрации вакансионных дефектов. Вместе с тем световыход монокристаллических пленок Y
$_3$Al
$_5$O
$_{12}$ : Ce из-за тушащего действия примеси ионов Pb
$^{2+}$ как компонентов флюса сравним со световыходом монокристаллов, полученных методом направленной кристаллизации, и несколько меньше (
$\sim$ на 25%), чем световыход монокристаллов, полученных методом Чохральского.
Поступила в редакцию: 12.10.2010
Принята в печать: 10.02.2011
Полный текст:
PDF файл (539 kB)
