Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводники

Динамика формирования мозаичной структуры пористого кремния при длительном анодном травлении в электролитах с внутренним источником тока

К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, К. А. Мить, Б. А. Ракыметов, Т. Айтмукан

Физико-технический институт МОН РК, Алма-Ата, Казахстан

Аннотация: При длительном анодном травлении $p$-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается спонтанное самоформирование мозаичной структуры пористой поверхности в виде островков окисленных нанокристаллитов por-Si, разделенных кремниевыми выступами. Процесс спонтанного формирования мозаичной структуры por-Si происходит в результате релаксации упругонапряженного слоя пористой поверхности. Самоорганизация мозаичной структуры поверхности por-Si, размеры островков и период их расположения определяются совокупностью ряда факторов, возникающих в сложной гетерофазной системе электролит/por-Si/$c$-Si/ в процессе травления: пространственно-временны́м распределением точечных дефектов междоузлий $I_{\mathrm{Si}}$ и вакансий $V_{\mathrm{Si}}$ в приповерхностной области $c$-Si, возникновением капиллярно-флуктуационных сил на границе раздела электролит/por-Si/$c$-Si/, наличием сил упругой деформации из-за рассогласованности параметров решеток окисленных нанокристаллитов por-Si и $c$-Si матрицы. Условия проявления этих сил зависят от самосогласованных параметров режимов травления сложной гетерофазной электрохимической системы электролит/por-Si/$c$-Si/ с внутренним источником тока, включая характеристики электродов и параметры ячейки.

Поступила в редакцию: 09.08.2010
Принята в печать: 24.01.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:8, 1575–1580

Реферативные базы данных:

•