Эта публикация цитируется в 14 статьях

Полупроводники

Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe$_2$

Р. М. Сардарлы, О. А. Самедов, А. П. Абдуллаев, Ф. Т. Салманов

Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрической проницаемости и проводимость кристаллов TlGaTe$_2$. Обнаружено наличие сильной диэлектрической релаксации. Показано, что механизм диэлектрической релаксации связан с перескоком ионов Tl по вакансиям в подрешетке таллия вследствие перехода системы в суперионное состояние.

Поступила в редакцию: 17.11.2010
Принята в печать: 18.01.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:8, 1564–1568

Реферативные базы данных:

•