Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводники

Эффект компенсации в нелегированном поликристаллическом CdTe, синтезированном в неравновесных условиях

В. С. Багаев, Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, В. С. Кривобок, А. А. Шепель

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: В нелегированном поликристаллическом CdTe, полученном в процессах быстрой кристаллизации, обнаружен эффект компенсации, приводящей к возрастанию удельного сопротивления до 10$^8$–10$^{10}$ $\Omega$ $\cdot$ cm при концентрации фоновых примесей $\sim$10$^{15}$ cm$^{-3}$ (доноры Ga$_{\mathrm{Cd}}$, Cl$_{\mathrm{Te}}$ неидентифицированные акцепторы). Для отдельных образцов этот эффект сопровождается появлением незатухающей фотопроводимости, исчезающей при температуре $\sim$200 K. Показано, что для всех исследованных поликристаллов реализуется трехуровневый механизм компенсации, в котором основные свойства материала определяют глубокие доноры и/или акцепторы с концентрацией 10$^{12}$ cm$^{-3}$. В зависимости от конкретных условий роста удельное сопротивление при комнатной температуре определяют глубокие центры с энергиями активации 0.59 $\pm$ 0.1, 0.71 $\pm$ 0.1 eV, предположительно связанные с собственными точечными дефектами, и 0.4 $\pm$ 0.1 eV, относящийся к DX-центру, образованному Ga$_{\mathrm{Cd}}$.

Поступила в редакцию: 13.01.2011

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:8, 1554–1563

Реферативные базы данных:

•