Р. В. Гайнутдинов, А. С. Щеулин, П. П. Федоров, А. Е. Ангервакс, А. И. Рыскин, “Двумерные металлические включения в диэлектрическом кристалле”, Физика твердого тела, 2011, том 53, выпуск 7,страницы 1409

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Системы низкой размерности

Двумерные металлические включения в диэлектрическом кристалле

Р. В. Гайнутдинов^a, А. С. Щеулин^b, П. П. Федоров^c, А. Е. Ангервакс^b, А. И. Рыскин^b

^a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Методами спектроскопии и атомно-силовой микроскопии изучены высокоагрегированные центры окраски в кристаллах широкозонного диэлектрика фторида кальция, подвергнутого нагреву в восстановительной атмосфере паров металла-катиона, кальция (“аддитивное окрашивание” кристаллов). Эти центры представляют собой крупные скопления анионных вакансий и электронов, трансформирующиеся в металлические образования. Прослежена эволюция этих образований с увеличением количества указанных компонентов от отдельных частиц, имеющих двумерную структуру, до крупных фрагментов пленок. Показано, что фрагменты концентрируются в отдельных плоскостях $\{111\}$, которые являются плоскостями спайности кристалла с большим содержанием высокоагрегированных центров.

Поступила в редакцию: 13.12.2010