Эта публикация цитируется в 8 статьях

Системы низкой размерности

Исследование процесса формирования наноразмерных кластеров кремния в диоксиде кремния при облучении электронным пучком

М. В. Заморянская, Е. В. Дементьева, А. А. Ситникова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: При облучении диоксида кремния пучком электронов с высокой удельной мощностью в облучаемой области образуются нанокристаллы кремния, формируется модифицированная область, которая представляет собой нанокомпозит Si–SiO$_2$. Работа посвящена исследованию процесса формирования этого нанокомпозита и его люминесцентных свойств.

Поступила в редакцию: 02.12.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:7, 1474–1480

Реферативные базы данных:

•