Эта публикация цитируется в 12 статьях

Системы низкой размерности

Об управлении структурой и напряженным состоянием тонких пленок и покрытий в процессе их получения ионно-плазменными методами

О. В. Соболь

Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"

Аннотация: Проведен системный анализ влияния температуры подложки при осаждении на два основных фактора неравновесности состояния материала ионно-плазменных пленок и покрытий: наноразмерность структурных образований и высокие напряжения. Показано, что повышение температуры при осаждении приводит к преимущественному росту нанокристаллитов в направлении падения пленкообразующих частиц, что ведет к формированию анизомерной кристаллической структуры.
Основными причинами возникновения высоких упругих напряжений в ионно-плазменных конденсатах являются ионно-атомная бомбардировка в процессе осаждения (приводит к развитию напряжений сжатия) и различие коэффициентов термического расширения материалов конденсата и подложки (термические напряжения; знак определяется разностью коэффициентов термического расширения материалов конденсата и подложки). Увеличение температуры при осаждении приводит к релаксации сжимающих напряжений, стимулированных ионно-атомной бомбардировкой, и к повышению влияния термических напряжений на состояние ионно-плазменного конденсата. Это позволяет управлять напряженным состоянием ионно-плазменных пленок и покрытий путем изменения температуры подложки при осаждении.

Поступила в редакцию: 01.11.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:7, 1464–1473

Реферативные базы данных:

•