Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика поверхности, тонкие пленки

Анизотропное магнетосопротивление частично релаксированных пленок SrRuO$_3$

Ю. А. Бойков, В. А. Данилов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Пленки SrRuO$_3$ толщиной 50 nm, выращенные методом лазерного испарения на подложках (001)(LaAlO$_3$)$_{0.3}$ + (Sr$_2$AlTaO$_6$)$_{0.7}$, находились под действием частично релаксированных сжимающих двухосных механических напряжений. Пленки состояли из кристаллитов с латеральными размерами 40–100 nm, относительная азимутальная разориентация которых составляла порядка 0.9$^\circ$. Ферромагнитное упорядочение спинов в пленках SrRuO$_3$ сопровождалось резким изменением наклона температурной зависимости их электросопротивления $\rho$ при $T\approx$ 155 K. При направлении магнитного поля $H$, параллельном измерительному току, максимальные значения ($\sim$7.5%) магнетосопротивления MR = [$\rho(\mu_0H$ = 5 T) – $\rho(\mu_0H$ = 0)]/$\rho(\mu_0H$ = 0) пленок наблюдались при температурах порядка 100 K. При $T$ = 95 K ($\mu_0H$ = 5 T) анизотропное магнетосопротивление пленок составляло 8% и увеличивалось примерно в 1.5 раза при понижении температуры до 4.2 K.

Поступила в редакцию: 30.11.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:6, 1298–1301

Реферативные базы данных:

•