Эта публикация цитируется в 6 статьях

Сегнетоэлектричество

Слабо- и сильносигнальный диэлектрический отклик в монокристаллической пленке частично дейтерированного бетаинфосфита

Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Поли- и монокристаллические пленки дейтерированного бетаинфосфита со степенью дейтерирования $\sim$20% выращены методом испарения на подложках NdGaO$_3$ (001) с предварительно нанесенной на них планарной встречно-штыревой структурой электродов. Слабосигнальный диэлектрический отклик в частотном диапазоне 0.1–100 kHz показывает сильную аномалию емкости при переходе пленок в сегнетоэлектрическое состояние. Приложение смещающего поля приводит к подавлению и небольшому сдвигу диэлектрической аномалии в область высоких температур. Сильносигнальный диэлектрический отлик исследован методом Сойера–Тауэра в частотном диапазоне 0.06–3 kHz в пара- и сегнетофазе. В отличие от случая плоскопараллельного конденсатора в исследованной планарной структуре петли диэлектрического гистерезиса имеют очень слабую коэрцитивность на низких частотах, которая увеличивается с повышением частоты. Такое различие объясняется разной доменной структурой, реализуемой в плоскопараллельном конденсаторе и планарной структуре в насыщающем поле. Увеличение гистерезиса с частотой в планарной структуре связывается с процессом движения доменных границ.

Поступила в редакцию: 02.11.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:6, 1216–1222

Реферативные базы данных:

•