Низкотемпературная гелиевая дефектоскопия и взаимодействие гелия с ионами цериево-гадолиниевой керамики Ce$_{0.8}$Gd$_{0.2}$O$_{1.9}$ с субмикрокристаллической структурой
Аннотация:
Методом гелиевой дефектоскопии в диапазоне температур 613–773 K и давлений насыщения 0.05–12 MPa определена концентрация нейтральных, несвязанных анионных вакансий цериево-гадолиниевой керамики Ce$_{0.8}$Gd$_{0.2}$O$_{1.9}$ с субмикрокристаллической структурой. Полученная энергия диссоциации примесно-вакансионных комплексов составила 1.1 $\pm$ 0.2 eV, а энергия растворения гелия в дефектах -0.8 $\pm$ 0.2 eV. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными значениями энергии взаимодействия гелия с ионами, результатами квантово-химических расчетов. Показано, что аномально низкое значение энергии растворения гелия в исследованной керамике обусловлено химическим взаимодействием гелия с ближайшим окружением катионов церия.
Полный текст:
PDF файл (222 kB)
