Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Теория резонанса Фано в спектрах примесного возбуждения $p$-GaAs

В. Я. Алёшкин, Д. И. Бурдейный, М. С. Жолудев

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведено теоретическое описание особенностей в спектрах примесной фотопроводимости арсенида галлия, легированного мелкими акцепторами. Особенности обусловлены взаимодействием дырок с полярными оптическими фононами. Рассмотрены резонансы Фано, связанные как с основным, так и с возбужденными состояниями акцептора. Рассчитанные значения ширин резонансов находятся в согласии с имеющимися экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 11.10.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:6, 1176–1185

Реферативные базы данных:

•