Эта публикация цитируется в 18 статьях

Материалы Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи "Опалоподобные структуры" Санкт-Петербург (12-14 мая 2010 года)

Получение прямых и инвертированных опаловых матриц из алмаза методом осаждения из газовой фазы

В. Г. Ральченко^a, Д. Н. Совык^a, А. П. Большаков^a, А. А. Хомич^a, И. И. Власов^a, Д. А. Курдюков^b, В. Г. Голубев^b, А. А. Захидов<sup>c

a</sup> Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Институт нанотехнологий, Техасский университет, Даллас, США

Аннотация: Осаждением из СВЧ-плазмы в смесях метан-водород на основе пористой SiO$_2$ опаловой матрицы и ее кремниевой реплики получены образцы алмаза с трехмерной структурой инвертированного и прямого опалов соответственно с периодом 250–530 nm. Достигнута глубина заполнения пор Si темплата алмазом до 80 слоев опаловых шаров.

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:6, 1131–1134

Реферативные базы данных:

•