RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2011, том 53, выпуск 5, страницы 1014–1025 (Mi ftt13335)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Системы низкой размерности

Спин-волновая спектроскопия и применение ее методов к гетероструктурам диоксида кремния с наночастицами Co на подложке GaAs

Л. В. Луцев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Развит метод нахождения магнитных и электрических характеристик пленочных наноструктур, содержащих магнитные наночастицы, из дисперсионных зависимостей поверхностных спиновых волн, распространяющихся в этих наноструктурах. Дисперсионные зависимости спиновых волн определяются динамикой спиновой составляющей, описываемой обобщенными уравнениями Ландау–Лифшица, и переменным электромагнитным полем, образованным спиновой волной. Так как спиновые волны очень чувствительны к неоднородности магнитных параметров, разупорядоченности спинов и проводимости того объекта, вблизи или внутри которого они распространяются, их можно использовать для определения магнитных и электрических характеристик исследуемых объектов. Развитый метод расчета, который может быть применен как в спинволновой спектроскопии, так и для анализа дисперсионных кривых, полученных другими методами, использован для нахождения параметров гетероструктур, состоящих из пленки SiO$_2$ с наночастицами Co на подложке GaAs. Из формы дисперсионных кривых поверхностных спиновых волн найдено, что в пленке около интерфейса спины наночастиц близки к ферромагнитному упорядочению, а около свободной поверхности их спиновая ориентация является более хаотической. Обнаружено, что в GaAs образуется проводящий слой и пленка SiO$_2$(Co) около интерфейса имеет повышенную проводимость.

Поступила в редакцию: 25.10.2010


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:5, 1078–1091

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026