Эта публикация цитируется в 4 статьях

Системы низкой размерности

К вопросу о природе состояния с волной зарядовой плотности в TiSe$_2$ по данным сканирующей туннельной микроскопии

А. Н. Титов^ab, А. С. Разинкин^c, М. В. Кузнецов<sup>c

a</sup> Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург, Россия
^b Уральский государственный университет им. А. М. Горького, г. Екатеринбург
^c Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии с атомным разрешением выполнено исследование поверхности свежего скола кристаллов TiS$_2$, TiSe$_2$ и TiTe$_2$. Во всех материалах обнаружены характерные треугольные дефекты, совпадающие по форме с теми, что должны возникать в результате вызванного эффектом Яна–Теллера локального изменения координации атома титана халькогеном с октаэдрического на тригонально-призматическое. Сделан вывод о том, что эффект Яна–Теллера присутствует в этих материалах, но ответственен за формирование наномасштабных дефектов, а не за переход в состояние с волной зарядовой плотности. Показано, что такая трактовка дефектов позволяет понять эволюцию границы устойчивости волны зарядовой плотности при донорном и акцепторном легировании.

Поступила в редакцию: 12.10.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:5, 1073–1077

Реферативные базы данных:

•