Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводники

Диффузия в пористом карбиде кремния

Е. Л. Панкратов^a, М. Г. Мынбаева^b, Е. Н. Мохов^b, К. Д. Мынбаев<sup>b

a</sup> Нижегородский государственный архитектурно-строительный университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: На примере диффузии ванадия и эрбия в пористом карбиде кремния проведено моделирование модификации пористой структуры в полупроводнике при термическом отжиге и рассмотрено влияние этой модификации на диффузию примесей. Сопоставление расчетных и экспериментальных профилей распределения эрбия и ванадия в пористом карбиде кремния показывает, что учет модификации пористой структуры, происходящей путем перераспределения вакансий, позволяет удовлетворительно описать диффузию в пористом полупроводнике.

Поступила в редакцию: 25.08.2010
Принята в печать: 08.11.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:5, 943–949

Реферативные базы данных:

•