Полупроводники

Андерсоновская локализация и псевдощель в энергетическом спектре дырок в PbTe : Tl при наличии резонансного рассеяния

С. А. Немов^ab, Ю. И. Равич^a, Р. В. Парфеньев^b, Д. В. Шамшур<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургcкий государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Подробно изучено влияние дополнительного легирования акцепторной примесью Na на низкотемпературное сопротивление образцов PbTe, легированных примесью Tl (2 at.%), создающей полосу резонансных состояний на фоне зонного спектра валентной зоны. С помощью дополнительного легирования натрием осуществлялось смещение уровня Ферми в пределах полосы резонансных состояний Tl в PbTe и изменялась степень заполнения дырками $(k_h)$ примесных состояний таллия. Бо́льшая часть образцов PbTe : (Tl, Na) переходит в сверхпроводящее состояние с критической температурой $T_c$ = 0.4–2.3 K. Полученная зависимость $T_c(k_h)$ свидетельствует о том, что в области резонансных состояний в PbTe : Tl наблюдается андерсоновская локализация дырок и псевдощель в плотности делокализованных состояний.

Поступила в редакцию: 11.10.2010

 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2011, 53:5, 936–938

Реферативные базы данных:

•