Аннотация:
В рамках модели Шриффера изучено влияние адсорбции на подвижность носителей в приповерхностной области полупроводниковой подложки. Определена зависимость поверхностной подвижности носителей от концентрации адатомов. В качестве конкретных систем рассмотрены газы, адсорбированные на поверхности полупроводниковых оксидов. Предложены эмпирические оценки поверхностной подвижности, основанные на модификации объемных механизмов рассеяния.