Аннотация:
Рассмотрены пространственные корреляции примесных ионов в тонких легированных слоях. Для описания корреляций в расположении примесных ионов развита модель жестких сфер на плоскости. В этой модели получено аналитическое выражение для структурного фактора 2D-электронов. Изучены концентрационные зависимости подвижности 2D-электронов в гетероструктурах с раздельным легированием на примере Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs.